摘要：结温是碳化硅功率器件（SiC MOSFET）健康状态的关键指标，结温在线监测是状态监测、健康管理和寿命预测的重要基础。基于中高压SiC MOSFET的静态热敏电参量——导通电阻，展开其结温在线监测的研究。首先，分析了导通电阻与结温的相关性；其次，对导通压降在线测量电路的工作原理和参数设计进行了理论分析、仿真与实验验证。最后，基于双脉冲实验，离线校准SiC MOSFET结温、导通电阻和负载电流的模型；搭建BUCK变换器平台，在两种不同的工况下，验证了所提结温在线测量方案的可行性与适用性。

      关键词：导通压降；碳化硅功率器件；结温监测；热敏电参量

      中图分类号：TM46     文献标识码：A 

      格式引文：田家辉，齐晓光，赵凯林,等. 基于导通电阻测量的SiC MOSFET结温在线监测方法[J].电气传动,2026,56(06):32-40. TIAN Jiahui，QI Xiaoguang，ZHAO Kailin,et al. Online monitoring method for SiC MOSFET junction temperature based on turn-on resistors measurement [J].Electric Drive,2026,56(06):32-40