摘要：传统的三相PWM整流器需要6个功率开关管，由于同一桥臂的2个开关管之间有直通问题，增加了控制难度，且整体复杂。采用一种半控三相PWM整流拓扑，实现三相整流器，只需使用3个功率开关管，3个开关管都由同一个驱动信号控制，该驱动信号由专用的控制器产生，控制电路简单。使用SiC MOSFET作为功率开关管，搭建了实验样机。实验结果表明，整流器可在较高的开关频率下运行，电感和电容器大幅减少，从而减小了整流器的体积，降低了产品成本，提高了转化效率，且总谐波畸变率较小。

      关键词：半控三相PWM整流器；碳化硅（SiC）MOSFET；总谐波畸变率

      中图分类号：TM28    文献标识码：A