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基于Si和SiC器件混合的并网变流器及其调控策略研究

发布日期:2025-06-19  浏览次数:17  下载次数:19   DOI字段:10.19457/j.1001-2095.dqcd25517

      摘要:为进一步提升变流器输出性能及效率,提出一种基于不同材质器件混合的并网变流器,简称异质并网变流器(HGCC)。HGCC由基于SiC MOSFET器件的两个半桥模块经基于Si IGBT器件的换向桥臂交叉连接构成。进一步,给出了HGCC调制原理,其SiC MOSFET器件工作于高频开关状态,而Si IGBT器件工作于低频开关状态,充分发挥了SiC器件开关损耗低、Si器件通态损耗低的优势。然后,对HGCC的工作模态进行详细分析,给出HGCC的控制框图及内部电容的均压策略。最后,通过仿真验证了所提拓扑及调控策略的有效性和可行性。


      关键词:并网变流器;Si IGBT器件;SiC MOSFET器件;调制策略;稳压策略


      中图分类号:TM464     文献标识码:A 





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