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双边LCC拓扑磁耦合机构补偿网络参数设计方法

发布日期:2024-10-17  浏览次数:79  下载次数:76   DOI字段:10.19457/j.1001-2095.dqcd25847

      摘要:基于磁耦合谐振式技术原理,采用一种双边LCC拓扑补偿网络参数设计方法。首先对双边LCC拓扑主电路数学模型进行分析,设定线圈自感与串联补偿电感的电感比值。然后通过编写M文件和搭建Simu⁃link仿真平台,根据电感比值与效率之间的关系,找到最优效率点。最后搭建全SiC MOSFET器件系统实验平台进行验证。实验结果表明,通过设置合适的电感比值,在满功率偏移范围内,耦合机构效率能够保持在95%左右,系统最大效率大于92.5%,证明了该补偿网络参数设计方法是有效的。


      关键词:磁耦合谐振;双边LCC拓扑;电感比值;SIC MOSFET器件;耦合机构效率


      中图分类号:TM28     文献标识码:A 





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