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基于Si和SiC器件的逆变器系统性能对比研究

发布日期:2017-08-18  浏览次数:4388  下载次数:2356   DOI字段:10.19457/j.1001-2095.20170801

摘要:在电气传动和可再生能源等设备中,逆变器是核心部分,然而传统逆变器系统多采用Si器件,存在功率损耗高、效率低等不足。为解决此问题,将SiC拓展至逆变器中,构建了基于Si和SiC的两电平、三电平逆变器系统,并对此系统分别在功率损耗、效率、器件结温、运行费用和预估投资收益等方面进行了对比研究。结果表明,在功率损耗、效率、结温方面,SiC逆变器系统明显优于Si逆变器系统;SiC逆变器系统虽初始投资较高,但长远的运行费用和收益均优于Si逆变器系统。

关键词:逆变器系统;碳化硅;效率

中图分类号:TM464;TM72     文献标识码:A


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