摘要：基于双向CLLC拓扑提出了一种采用氮化镓场效应晶体管（GaN FET）和平面磁集成技术的1 MHz半桥型高增益Multi-CLLC谐振变换器。该拓扑具有双向高增益特性和较高的功率密度，适用于分布式储能系统。分析了该变换器的工作原理、拓扑特点和参数设计方法。采用了平面磁集成技术，并提出了绕线及漏感分布改进方法。实验室研制了400 W样机，用于验证理论分析和参数设计的正确性，样机实现了最高92%的工作效率。

      关键词：双向直流变换器；高频；CLLC谐振；GaN器件；宽禁带半导体材料

      中图分类号：TM46     文献标识码：A