摘要：为了使SiC MOSFET工程运用时避免串联扰动的威胁，研究栅源回路参数对串联扰动的影响是很有必要的。研究通过对栅源回路参数的调控，将串联扰动现象分为正压尖峰与负压尖峰两部分进行分析，确定影响串扰电压尖峰的参数，为驱动回路参数设计提供方向性意见。首先建立拓扑简化模型，理论分析影响电压尖峰的栅源回路参数，随后搭建实验平台进行电压尖峰观测以及对理论分析进行实验验证，最后对实验波形进行分析。实验表明，当驱动电阻为0~20 Ω、驱动杂散电感为0~300 nH、栅极电容为0~10 nF时，串联扰动随着桥臂自身驱动电阻、驱动杂散电感的增大而增大、随着栅极电容的增大而减小。此外，负载阻抗会影响负压尖峰，尖峰震荡同样会影响器件正常工作。

      关键词：碳化硅MOSFET；栅源回路；串联扰动；电压尖峰

      中图分类号：TM131.2     文献标识码：A