摘要：针对碳化硅金属氧化物半导体场效应管（SiC MOSFET）开关过程中存在的电流、电压过冲和振荡问题，首先对SiC MOSFET的开关过程进行详细分析，得出电流、电压过冲和震荡的产生机理，然后根据影响过冲和振荡的关键因素，分别提出了电流注入型、变电压型和变电阻型有源驱动电路，并通过LTspice仿真软件验证了所提有源驱动电路的有效性，最后搭建实验平台对所提变电压型有源驱动电路进行实验验证。实验结果表明，所提变电压型有源驱动电路能够在牺牲较小开关损耗的条件下，有效抑制SiC MOSFET开关过程中的电流、电压过冲和振荡。

      关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应管（SiC MOSFET）；有源驱动电路；LTspice仿真软件；过冲；振荡

      中图分类号：TM13     文献标识码：A