摘要：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）凭借高工作温度、高开关频率和低导通损耗等优点，被广泛应用于高压、高温和高工作频率场合，但SiC MOSFET的短路耐受时间较小，仅为2~5 μs，这对SiC MOSFET的短路保护电路提出了更高的要求。首先总结分析SiC MOSFET短路故障特性，然后基于源极电感检测法设计一款SiC MOSFET 短路保护电路并简要分析其工作原理，最后搭建实验平台进行实验验证。实验结果表明，所设计的短路保护电路结构简单，当SiC MOSFET 发生硬开关短路故障或负载短路故障时，保护电路能够在故障发生的1 μs 内关断器件，保证器件的安全运行。

      关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管；短路特性；源极电感检测法；短路保护

      中图分类号：TM13     文献标识码：A