摘要：由于碳化硅（SiC）的材料特性，在极端温度下，碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOS⁃FET）相对传统硅基器件有突出优势。目前对SiC MOSFET暂态温度特性的研究，主要以单管小电流实验为主，大电流下暂态温度特性的研究还不充分。为分析和验证大电流下暂态温度这一特性，在理论分析的基础上，以CRE 1 200 V/300 A半桥SiC MOSFET模块为研究对象，通过双脉冲测试平台研究SiC MOSFET模块及其驱动电路在不同温度环境下的暂态性能。对比分析了不同温度下开关时间、开关损耗、电应力及电流、电压过冲的差异，实验结果对SiC MOSFET模块在大电流下的选型和驱动设计具有一定的参考意义。

      关键词：碳化硅（SiC）；金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）；温度特性；模块；大电流

      中图分类号：TN32     文献标识码：A