摘要：针对以往直流加速老化方法不能复现周期瞬态工况下IGBT工作特性的情况，提出一种对处于周期瞬态工况下H桥级联的IGBT模块进行交流加速老化的方法。首先对周期瞬态工况下的H桥级联拓扑进行分析，然后对PWM控制下的单相全桥IGBT损耗进行建模及分析，并且将直流加速老化和交流加速老化过程中功率模块的结温波动进行了对比分析，依据IGBT常用的寿命解析模型Lesit模型以及仿真结果说明等效全桥电路的合理性。最后设计并搭建了交流加速老化实验平台并与原始H桥级联电路仿真结果进行了对比分析。说明该交流加速老化方法可以为研究特殊工况下的IGBT可靠性提供一种新思路。

      关键词：周期瞬态；交流加速老化；H桥级联；单相全桥；IGBT模块

      中图分类号：TN32     文献标识码：A