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SiC MOSFET驱动电路设计与实验分析

发布日期:2017-09-19  浏览次数:4229  下载次数:1249   DOI字段:10.19457/j.1001-2095.20170912

摘要:为使SiC MOSFET在应用中安全可靠的工作,通过对SiC MOSFET开关特性的分析,设计了一种SiC MOSFET驱动电路。该电路具有结构简单、实用性强、速度快、输出功率大等特点。另外,在高功率、高频等特殊环境下工作,为了提高SiC MOSFET的可靠性,还对器件过载保护电路进行研究。通过Pspice软件仿真实验,发现过载保护电路可以有效地保护器件不受损坏。最后,搭建双脉冲实验平台,验证驱动电路的基本功能并测试采用不同栅极电阻时对SiC MOSFET开关特性的影响。实验结果表明:该电路具有良好的驱动能力。

关键词:碳化硅MOSFET;驱动电路;过载保护电路;Pspice仿真软件;双脉冲实验

中图分类号:TM13      文献标识码:A


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