摘要：针对大功率绝缘栅双极型晶体管（IGBT）应用中存在的关断过电压问题，提出了一种两段式有源门极关断技术。在IGBT关断过程中，通过在IGBT集电极和门极之间使用2 个小容值的高压陶瓷电容和一串瞬态抑制二极管（TVS），在不同关断阶段，获得2 个差别较大的门极反馈增益，从而达到限制关断过电压和控制关断电压上升率的目的。在Saber 仿真环境中，与其它有源门极关断技术进行了充分比较和研究。

        关键词：有源关断；过电压；绝缘栅双极型晶体管

        中图分类号：TM47     文献标识码：A