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SiC MOSFET高频感应加热电源系统研究

发布日期:2017-03-19  浏览次数:2975  下载次数:1106   DOI字段:10.19457/j.1001-2095.20170315


      摘要:采用新型功率开关器件SiC 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),利用多器件并联和多逆变桥并联的扩容方式完成了800 kHz/150 kW高频大功率感应加热电源的系统研制。设计了易实现且实用性较强的SiC MOSFET驱动电路,提出带延时补偿调整的锁相控制策略,并对直流过流检测保护电路和失锁检测保护电路进行了设计。试验结果表明了所设计的感应加热电源能够实现安全可靠运行。


     关键词:金属氧化物半导体场效应晶体管;感应加热;驱动电路;锁相控制;保护


     中图分类号:TM464   文献标识码:A





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